（Update: 关于这一问题的进一步讨论，看http://www.aiothome.net/read.php?tid-5088.html）
K9F1G08U0B这个手册上地址时序是四个周期（第6页），不太明白mini2440为什么用五个周期？

参考Tekkaman的移植uboot代码中int nand_read_llb(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size) 函数 
（此函数在 ……/u-boot-2009.08/board/tekkamanninja/mini2440/nand_read.c中）
  （http://www.aiothome.net/read.php?tid-3539.html）
  
        NFADDR = 0;
        NFADDR = 0;
        NFADDR = (i >> 11) & 0xff;
        NFADDR = (i >> 19) & 0xff;
        NFADDR = (i >> 27) & 0xff;

确实是五个周期，但是也不太明白。为什么不是这样呢：
                    
        NFADDR = 0;
        NFADDR = 0;
        NFADDR = (i >> 12) & 0xff;
        NFADDR = (i >> 20) & 0xff;
四个周期不就结束了？        

事实上我觉得datasheet上的写法是不对的，对于2048字节的NAND Flash来说，column地址对应的是A0~A10 (0 ~ 7ff), 而row地址对应A12~A26.
因此代码中的写法是正确的，只是最后一句 NFADDR = (i >> 27) & 0xff;看起来应该是不需要的，那只对大于128M的NAND Flash才有意义。
也许u-boot的MTD中NAND驱动部分的写法更容易让人理解：

复制代码 /** * nand_command_lp - [DEFAULT] Send command to NAND large page device * @mtd:    MTD device structure * @command:    the command to be sent * @column:    the column address for this command, -1 if none * @page_addr:    the page address for this command, -1 if none * * Send command to NAND device. This is the version for the new large page * devices We dont have the separate regions as we have in the small page * devices.  We must emulate NAND_CMD_READOOB to keep the code compatible. */ static void nand_command_lp(struct mtd_info *mtd, unsigned int command,                 int column, int page_addr) {     register struct nand_chip *chip = mtd->priv;     uint32_t rst_sts_cnt = CONFIG_SYS_NAND_RESET_CNT;         .......     /* Command latch cycle */     chip->cmd_ctrl(mtd, command & 0xff,                NAND_NCE | NAND_CLE | NAND_CTRL_CHANGE);     if (column != -1 || page_addr != -1) {         int ctrl = NAND_CTRL_CHANGE | NAND_NCE | NAND_ALE;         /* Serially input address */         if (column != -1) {             /* Adjust columns for 16 bit buswidth */             if (chip->options & NAND_BUSWIDTH_16)                 column >>= 1;             chip->cmd_ctrl(mtd, column, ctrl);             ctrl &= ~NAND_CTRL_CHANGE;             chip->cmd_ctrl(mtd, column >> 8, ctrl);         }         if (page_addr != -1) {             chip->cmd_ctrl(mtd, page_addr, ctrl);             chip->cmd_ctrl(mtd, page_addr >> 8,                        NAND_NCE | NAND_ALE);             /* One more address cycle for devices > 128MiB */             if (chip->chipsize > (128 << 20))                 chip->cmd_ctrl(mtd, page_addr >> 16,                            NAND_NCE | NAND_ALE);         }     }     chip->cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_NONE, NAND_NCE | NAND_CTRL_CHANGE);

是的，抱歉那是笔误，row地址应该是A11~A26. 第五个周期(也就是第三个row地址周期)只有在NAND Flash大小超过128M的时候才有意义。
beggar提到的是boot from NAND的特殊情况，因为硬件Boot ROM代码（实现将NAND Flash前4K数据复制到SRAM中的那部分代码）根据GPG13,14,15的配置来配置NAND Flash Controller，因此，这时候会输入5个地址周期，但这不影响NAND Flash的操作，因为K9F1G08会忽略所有超过4个周期的地址周期（手册第6页注释）。

我没有追踪过这段代码，我想你可以在AXD里把这两部分memory dump出来比较一下4K大小的内容是否一致。(应该是一样的，否则uboot不可能正常启动)

对于普通的read page操作来说，Spare Filed的地址是不考虑的。要读这一部分数据，需要另外的NAND Flash命令。详细的内容看NAND Flash的数据手册。