从友善的硬件电路设计上看，和mini2440一样。都是采用cpu本身的硬件机制，加载Nandflash前面的4K代码到steppingstone，steppingstone映射到0x0000_0000，从而达到从Nandflash启动的目的。

但是当使用MLC的时候，这个机制就有很大风险，可能导致的问题是，系统有时不能启动。
原因有
1 MLC不像SLC那么稳定，
2 直接从Nandflash启动，是没有ECC校验的。

如果从IROM启动，再通过IROM加载Nand，这时nand加载是带8位的ECC校验的，那就安全多了。

当然，这样友善生产就很麻烦了，不同的大小的Flash，就有不同的电阻跳线设置。

本来就是从IROM启动的，现在还有哪款高级CPU不是从IROM启动的吗？
除了JTAG调试或许经过某种设置，直接进入纯粹的裸机模式，其他任何启动方式都必定要经过IROM，包括2410，2440，6410，210等都是这样。

IROM在2410/2440手册中没有提及，那是因为那时的功能比较简单，2416/2450/6410/210等就变得功能多了。

mindee，你好！
多谢你的回复。
不知道是不是我对datasheet理解有误，还是我的mini6410版本比较旧（版本1041）.

下面是我的理解：

这里引用规格书 
 



从规格书中可以知道，当OM[4:0] = 1111X，是IROM启动模式
如果对比6400规格书，可以知道，当OM[4:0]=0000x ~0011x，系统通过steppingstone机制，从Nandflash启动。这个可以参考这篇文档http://blog.csdn.net/nanjianhui/article/details/4230565


下面在来看mini6410的电路：



从上面的电路CON5可以知道，
当S2拨向SDBOOT时，
OM[4:0] = 11111，对照规格书，Boot device 是 IROM；
GPN[15:13] = 000，对照规格书，说明IROM启动后，从SD0设备加载bootloader，即BL1。

当S2拨向Nand时
OM[4:0]=00111，对照规格书，对应的boot device是Reserved，但通过对比6400，我们知道是Nandflash
这时GPN[15:13]，对boot device的选择没有影响。

结论如下：
1 从SD卡启动时，mini6410确实是通过IROM来启动的，（supperboot就是通过IROM加载到steppingstone，然后从0x0c00_0000开始运行的）；
2 从Nand启动时，mini6410没有通过IROM来加载nandflash，直接通过硬件机制，把Nandflash前面4K代码加载到steppingstone，steppingstone地址映射到0x0000_0000，然后从地址0开始运行。此加载过程没有ECC校验。

无论从什么设备启动，都是由irom控制裁决的。


好像6410有一篇专门的irom说明文档，你可以找找看看

6410 NAND flash最初加载的是8k

所有NAND flash出厂时必须保证block 0是好的，至于那8k ecc问题，出错的概率和出门遇到车祸差不多。凡是终端产品都会烧固件检测的，因此有问题的根本不会流到用户手中。

如果实在要保险，可以配合nor + nand的方式

从IROM加载Nandflash就可以了

请教电路中的NC是什么意思？ tiny6410中 默认应该是接电阻还是短接电阻还是悬空呢？